报告题目：氮化镓基光电子材料与器件
报告人：赵德刚（中国科学院半导体研究所）
报告时间：2024年3月29日上午10:00
报告地点：东九A座5-42室（Fun客空间）
报告摘要：
氮化镓基材料被称为第三代半导体，在光电子学领域有重要的应用。本报告介绍课题组在材料方面，深入研究了缓冲层原理，提出了独特的外延方法，生长出高质量的GaN材料，室温下电子迁移率超过1000 cm2/Vs，这是目前国际上公开报道的MOCVD外延最好结果；创造性提出了复合缓冲层结构，突破了无裂纹的AlN外延材料技术，其(002)、(102)面XRD半高宽均控制在200弧秒以内；发现了碳杂质对p-GaN材料的补偿效应，掌握了施主抑制方法，解决了p型掺杂问题。在器件方面，设计出能够监测紫外波长的新型器件，还创新性地提出了利用紫外探测器的响应光谱对p-GaN载流子浓度进行测量的新方法；利用重掺杂盖层实现了良好的欧姆接触特性，揭示了欧姆接触、空位缺陷和碳杂质对探测器的影响机理；研究了InGaN量子阱界面控制方法，分析了量子阱的电荧光光谱随注入电流变化的机制，并提出了相应的物理模型；提出了降低吸收损耗、抑制电子泄漏的多种激光器新结构，研究了激光器的器件物理，阐明了影响激光器寿命的关键机理。在上述基础上，研制出GaN基大功率紫外激光器、长寿命蓝光激光器和高性能紫外探测器。
报告人简介：
赵德刚，博士，中国科学院半导体所研究员、博士生导师、光电子研究发展中心主任。2009年国家杰出青年科学基金获得者，2011年中国青年科技奖获得者，2018年国家中青年科技创新领军人才，国家重点研发计划首席科学家，享受国务院政府特殊津贴专家。1994、1997年在电子科技大学分别获得学士、硕士学位，2000年在中国科学院半导体所获得博士学位。主要从事氮化镓基光电子材料与器件研究，研制出我国第一支氮化镓基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器和紫外雪崩光电探测器，发表SCI论文370多篇，获得国家发明专利40多项。
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数理学院
2024.03.26